买卖IC网 >> 产品目录 >> 2SK3878(F,T) MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

2SK3878(F,T)

库存数量：可订货
制造商：Toshiba
描述：MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-Ch FET RDS 1.0 Ohm IDSS 100uA VDS 720V
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制造商 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 900 V
闸/源击穿电压 30 V
漏极连续电流 9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 1 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 SC-65
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 2SK3878(F,T)
2SK3878(STA1,E,S)
2SK3879(TE24L，Q)
2SK3882-01
2SK3883-01
2SK3884-01
供应商
公司名
电话
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
深圳市崧晔达科技有限公司 13926591096 苑小姐
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司 13302441830 邓生
深圳市源运电子商行 15913992480 林先生
深圳市诚达吉电子有限公司 15013829553 莫小姐
深圳市九黎科技有限公司 18171547226 郑成静
  • 2SK3878(F,T) 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价